一种植入式多功能脑监测器件，自上到下依次包括上封装层、两层压力敏感薄膜、第一绝缘层、磁感线圈结构、第二绝缘层、电极导通层和下封装层；两层压力敏感薄膜之间为多层电极结构；


微电极阵列穿过下封装层与电极导通层连接。

微电极阵列制备：采用Mo金属作为测量电极阵列与连接电极材料，并通过两次磁控溅射法进行分别制备。首先对第二绝缘层表面进行旋涂光刻胶、采用留有电极点位的掩模版进行曝光、显影与离子刻蚀，采用磁控溅射法在绝缘层表面沉积一层厚度为50μm的Mo金属薄膜，并去除多余的光刻胶，得到六个直径为200μm的独立测量电极位点。对所得结构进行采用与上述流程相类似的处理，并采用留有图案化电极的掩模版进行光刻显影与刻蚀加工，采用离子溅射法沉积一层厚度为200nm的Mo金属薄膜，并去除多余光刻胶，即可得到完整的脑电测量电极结构。


双层压力敏感薄膜与电极导通层组成压力敏感结构，用于采集颅内压信号；磁感线圈结构由Fe/Zn图案化，用于向体外上位机系统传输采集到的信号；微电极阵列具有6个测量位点，用于采集脑电信号。


第一绝缘层位于两层压力敏感薄膜、磁感线圈结构、之间，第二绝缘层位于磁感线圈结构、电极导通层之间，用于避免不同器件层之间发生短路，并具有连接通孔。


微电极阵列与压力敏感结构电路通过绝缘层上的连接通孔与磁感线圈结构电路连接，用于将所测信号传导至磁感线圈结构进行信号传输。下封装层上具有预留的通孔结构，其与微电极阵列测量点位相配合，使点位暴露在器件外，从而与大脑皮层表面相接触。