随着微加工技术的发展，微电极阵列(MEA)开始广泛应用于神经科学、心脏病学和药物测试等领域。MEA允许研究人员在体外培养条件下，对单个细胞或细胞网络的电活动进行长期、稳定的记录和分析，优点是空间分辨率高可同时记录大量的神经元，实现高通量检测。


但是，现有的微电极阵列的封装层采用聚酰亚胺（PI）材料制成，其硬度较高，为了形成特定的形状，需要利用刻蚀工艺对PI封装层进行刻蚀，工艺复杂。


发明内容


本发明的目的在于提供一种多孔微电极阵列的制备方法，利用SU-8光刻胶代替聚酰亚胺作为封装层，以使多孔微电极阵列具有柔性，并简化工艺。


基于上述目的，本发明提供一种多孔微电极阵列的制备方法，包括以下步骤：


S100：在衬底上沉积牺牲层，其中衬底包括第一部分和第二部分，所述牺牲层沉积在所述衬底的第一部分上；


S200：在所述衬底的第二部分和所述牺牲层上沉积第一封装层，其中位于所述牺牲层上的第一封装层具有多个第一通孔；


S300：在所述第一封装层上沉积第一金属层；


S400：在位于所述衬底的第二部分的上方的第一封装层上沉积第二金属层，其中所述第二金属层覆盖所述第一金属层的部分；


S500：沉积第二封装层，其中所述第二封装层具有多个第二通孔，所述第二封装层的各第二通孔与所述第一封装层的各第一通孔一一对齐，所述第二封装层覆盖所述第二金属层的部分以及位于所述衬底的第二部分上方的第一金属层，并覆盖位于所述衬底的第一部分上方的第一金属层的部分；


S600：腐蚀掉所述牺牲层，并将所述衬底的第一部分切除。


进一步地，方法还包括步骤：


S700：在所述第一金属层未被所述第二封装层覆盖的部分上电镀导电聚合物。


进一步地，步骤S100具体包括以下步骤：


S110：在所述衬底上涂覆LOR-5B和LC-100A光刻胶；


S120：对LOR-5B和LC-100A光刻胶进行曝光、显影；


S130：在显影后的衬底上沉积所述牺牲层；


S140：剥离未曝光的LOR-5B和LC-100A光刻胶。


进一步地，所述第一封装层由SU-8 2005光刻胶形成，步骤S200具体包括以下步骤：


S210：在所述衬底的第二部分和所述牺牲层上旋涂SU-8 2005光刻胶；


S220：对SU-8 2005光刻胶进行曝光和显影，以使位于所述牺牲层上方的SU-82005光刻胶具有多个第一通孔。


进一步地，步骤S300具体包括以下步骤：


S310：在所述第一封装层上旋涂nlof-2020光刻胶；


S320：对nlof-2020光刻胶进行曝光和显影；


S330：在显影后的第一封装层上依次沉积铬、金、铬金属，以形成第一金属层；


S340：剥离未被曝光的nlof-2020光刻胶。


进一步地，步骤S400具体包括以下步骤：


S410：在所述第一封装层和所述第一金属层上依次旋涂LOR-5B和LC-100A光刻胶；


S420：对LOR-5B和LC-100A光刻胶进行曝光和显影；


S430：在显影后的第一封装层和第一金属层上依次沉积铬、镍和金，以形成第二金属层；


S440：剥离未被曝光的LOR-5B和LC-100A光刻胶。


进一步地，所述第二封装层由SU-8 2005光刻胶形成，步骤S500具体包括以下步骤：


S510：在所述第一封装层、所述第一金属层和所述第二金属层上涂覆SU-8 2005光刻胶；


S520：对SU-8 2005光刻胶依次进行曝光和显影，以使SU-8 2005光刻胶上具有多个第二通孔。


进一步地，所述牺牲层为铝。


进一步地，在步骤S600中，利用氢氟酸溶液腐蚀所述牺牲层。


进一步地，所述第一金属层未被所述第二封装层覆盖的部分形成为所述多孔微电极阵列的电极位点，所述第二金属层未被所述第二封装层覆盖的部分形成为焊盘。


本发明的多孔微电极阵列的制备方法，第一封装层和第二封装层均由SU-8 2005光刻胶形成，其可通过曝光和显影而实现去除，而无需利用刻蚀工艺进行刻蚀，因此工艺更简单。


附图说明

图1为根据本发明实施例的多孔微电极阵列的制备方法的流程图；